ファインパターン
ファインパターンフレキシブル基板の特徴
当社のファインパターンフレキシブル基板は、セミアディティブ技術を基盤とし、 多品種中量生産品、小ロットの試作製品の生産対応をしています。
また、両面基板、多層基板の生産も可能です。
特に層間接続部の穴あけ加工は、ポリイミドエッチングによるブラインドビアとする事で、ランドの小型化による省スペース化を実現、更なる高密度配線が可能です。
![ファインパターンフレキシブル基板の特徴1](/products/images/fine_pattern_01.png)
![ファインパターンフレキシブル基板の特徴2](/products/images/fine_pattern_02.png)
![ファインパターンフレキシブル基板の特徴3](/products/images/fine_pattern_03.png)
![ファインパターンフレキシブル基板の特徴4](/products/images/fine_pattern_04.png)
片面フレキシブル基板
![片面フレキシブル基板](/products/images/fine_pattern_05.png)
仕様例
- ポリイミドフイルム厚み:12.5μm、25μm、50μm
- 最小配線ピッチ:15μm、L/S=7.5μm/7.5μm
両面フレキシブル基板
特徴
- 50μmピッチ以下の両面フレキシブル基板の試作が可能。
- 層間接続をポリイミドケミカルエッチング技術で形成する事で、従来のFPCより小径ビアが形成出来、より高密度配線を実現いたします。
![両面フレキシブル基板](/products/images/fine_pattern_06.png)
仕様例
- ポリイミドフイルム厚み:25μm、50μm
- リード厚み:20μm
- ポリイミドエッチングによるブラインドビア加工
- カバーレイ、ソルダーレジストで表面保護
- 金めっき、直金めっき、半田(錫)めっき対応可能
フライングリードフレキシブル基板
特徴
- F-Chipを実装する為に実装リード部のベースフィルムを除去し、フライングリード部が形成されたフレキシブル基板です。
- ピッチ100μm以下のフライングリード形成が可能です。
- 層間の接続はブラインドビアにより安定した電気特性が得られます。
これらはポリイミドケミカルエッチング技術を使用する事で、高精度の加工を実現いたします。
![フライングリードフレキシブル基板](/products/images/fine_pattern_07.png)
仕様例
- ポリイミドフイルム厚み:25μm、50μm
- ポリイミドエッチングによるブラインドビア、フライングリードを加工
- フライングリード厚み:20μm
- 最小外形加工精度:±50μm
- 直金めっき仕様
多層板
特徴
- 当社の微細めっき技術を駆使し、微細配線での多層化が可能です。
- 占有する空間を少なく出来、基板の高密度が図れます。
![多層板](/products/images/fine_pattern_08.png)
仕様例 FPC構成
- 基板種類:多層フレキ基板_3層
- ベースフィルム:ポリイミド
- 製法:ポリイミドフィルムでのビルドアップ基板
- 層間接続:ブラインドビアめっき(対応=銅、ニッケル)
- 表面処理:金(電解、無電解直金)、錫、ニッケル 等対応可
- カバーレイ:L1.L3層
バンプ形成
特徴
FPCの配線上に直接バンプを形成する事で、高精細な回路へ接点を取ることを可能としています。
- 当社めっき技術を駆使した微細配線上にマイクロバンプを形成いたします。
- バンプはご要望に合わせて形状を変える事が可能です。
円錐台バンプ
![円錐台バンプ](/products/images/fine_pattern_09.jpg)
仕様例
- バンプ:H=25µm or 50µm、材質:ニッケル or 銅
- 製法:電解めっき+基材ポリイミドをエッチングし形成
*基材ポリイミドの厚みを利用しバンプを製作するためバンプ高さが均一です。
2段バンプ(円柱バンプ)
![2段バンプ(円柱バンプ)](/products/images/fine_pattern_10.jpg)
![2段バンプ(円柱バンプ)断面](/products/images/fine_pattern_11.jpg)
仕様例
- パターン:H=30µm、材質:銅+ニッケル
- 台座バンプ:径Φ200µm、H=30µm、材質:ニッケル
- 4バンプ:径Φ30µm、H=20µm、材質:ニッケル
- 製法:電解めっき積層
- 表面処理:電解金めっき
*当社独自の製法でニッケルバンプの上にニッケルバンプを形成しています。
ストレートバンプ
![ストレートバンプ](/products/images/fine_pattern_12.jpg)
仕様例
- バンプ寸法:12µm×100µm、H=11〜15(総厚)、材質:ニッケル
- 絶縁膜:10µm〜11µm(感光性樹脂)
- 製法:電解ニッケルめっき
円柱バンプ(10µm単位で製作)
![円柱バンプ(40µm)](/products/images/fine_pattern_13.jpg)
![円柱バンプ(50µm)](/products/images/fine_pattern_14.jpg)
![円柱バンプ(60µm)](/products/images/fine_pattern_15.jpg)
![円柱バンプ(70µm)](/products/images/fine_pattern_16.jpg)
![円柱バンプ(80µm)](/products/images/fine_pattern_17.jpg)
![円柱バンプ(90µm)](/products/images/fine_pattern_18.jpg)
![円柱バンプ(100µm)](/products/images/fine_pattern_19.jpg)
![円柱バンプ(110µm)](/products/images/fine_pattern_20.jpg)
![円柱バンプ(120µm)](/products/images/fine_pattern_21.jpg)
バンプ寸法は上記写真の通り、10µm単位で製作可能
プローブ
特徴
- 銅スパッタしたポリイミド基板上にフォトリソで微細配線の画像形成し、セミアディティブ法で電解銅めっき、電解ニッケルめっきをおこない、微細配線を形成。
- 電極形成後に感光性絶縁樹脂をコーティング、パネルコンタクト部分を開口し、バンプを形成。
小型液晶パネル検査用プローブユニット
![小型液晶パネル検査用プローブユニット](/products/images/fine_pattern_22.jpg)
プローブ構成
- 基板種類:小型プローブ
- ベースフィルム:ポリイミド
- 製法:銅スパッタポリイミドフィルムへのセミアディティブ基板
- 絶縁膜:感光性樹脂、カプトンテープ
- バンプ:ニッケルバンプ
15µmピッチ(L/S=7.5µm/7.5µm)プローブ先端バンプ
![15µmピッチ(L/S=7.5µm/7.5µm)プローブ先端バンプ](/products/images/fine_pattern_23.jpg)
![15µmピッチ(L/S=7.5µm/7.5µm)プローブ先端バンプ](/products/images/fine_pattern_24.jpg)
![15µmピッチ(L/S=7.5µm/7.5µm)プローブ先端バンプ](/products/images/fine_pattern_25.jpg)